制造商: | Toshiba |
RoHS: | 詳細(xì)信息 |
最大集電極/發(fā)射極電壓: | 80 V |
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓: | 0.4 V |
絕緣電壓: | 2500 Vrms |
最大功率耗散: | 100 mW |
最大工作溫度: | + 110 C |
最小工作溫度: | - 55 C |
封裝 / 箱體: | SO-16 |
封裝: | Bulk |
正向電流: | 50 mA |
每芯片的通道數(shù)量: | 4 Channels |
輸出設(shè)備: | NPN Phototransistor |